STMicroelectronics M24C32-DRMN3TP/K หน่วยความจำ EEPROM ชิป IC 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC

M24C32-DRMN3TP/K EEPROM หน่วยความจำ IC 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC

คำอธิบาย:

M24C32-A125 เป็นอุปกรณ์เกรดยานยนต์ EEPROM อนุกรม 32-Kbit ที่ทำงานได้ถึง 125 °CM24C32- A125 คือ

เป็นไปตามระดับความน่าเชื่อถือที่สูงมากที่กำหนดโดยมาตรฐานยานยนต์ AEC-Q100 เกรด 1 อุปกรณ์เข้าถึงได้

โดยอินเทอร์เฟซที่เข้ากันได้กับ Serial I2C อย่างง่ายที่ทำงานได้ถึง 1 MHzอาร์เรย์หน่วยความจำขึ้นอยู่กับ EEPROM จริงขั้นสูง

เทคโนโลยี (หน่วยความจำที่ตั้งโปรแกรมลบได้ด้วยไฟฟ้า)M24C32-A125 เป็นหน่วยความจำที่ปรับเปลี่ยนได้แบบไบต์ (4096 K × 8 บิต)

เป็น 128 หน้าของ 32 ไบต์ซึ่งความสมบูรณ์ของข้อมูลได้รับการปรับปรุงอย่างมีนัยสำคัญด้วยตรรกะรหัสแก้ไขข้อผิดพลาดที่ฝังอยู่

M24C32-A125 มีหน้าการระบุเพิ่มเติม (32 ไบต์) ซึ่งสามารถอ่านการระบุอุปกรณ์ ST ได้หน้านี้

นอกจากนี้ยังสามารถใช้เพื่อจัดเก็บพารามิเตอร์แอปพลิเคชันที่ละเอียดอ่อนซึ่งสามารถล็อคอย่างถาวรในภายหลังในโหมดอ่านอย่างเดียว

คุณสมบัติ

• ผ่านการรับรอง AEC-Q100

• เข้ากันได้กับโหมดบัส I2C ทั้งหมด

– 1 เมกะเฮิรตซ์

– 400 กิโลเฮิรตซ์

– 100 กิโลเฮิรตซ์

• อาร์เรย์หน่วยความจำ

– 32 Kbit (4 Kbyte) ของ EEPROM

– ขนาดหน้า: 32 ไบต์

– หน้าล็อคการเขียนเพิ่มเติม (หน้าระบุ)

• ขยายช่วงอุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้า

– -40 °C ถึง 125 °C;1.7 โวลต์ถึง 5.5 โวลต์

• Schmitt ทริกเกอร์อินพุตสำหรับการกรองสัญญาณรบกวน

• รอบเวลาการเขียนสั้น

– ไบต์เขียนภายใน 4 มิลลิวินาที

– หน้าเขียนภายใน 4 ms

• เขียนวงจรความอดทน

– 4 ล้านรอบการเขียนที่ 25 °C

– 1.2 ล้านรอบการเขียนที่ 85 °C

– 600 k รอบการเขียนที่ 125 °C

• การเก็บรักษาข้อมูล

– 50 ปีที่ 125 °C

– 100 ปีที่อุณหภูมิ 25 องศาเซลเซียส

• การป้องกัน ESD (แบบจำลองร่างกายมนุษย์)

– 4000 โวลต์

• แพ็คเกจ

– เป็นไปตาม RoHS และปราศจากฮาโลเจน (ECOPACK2 )

รายละเอียดโดยย่อ:

คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์:

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม:

รูปภาพข้อมูล: